產(chǎn)品名稱(chēng)：LJD型絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

產(chǎn)品型號(hào)：LJD-B、LJD-C、QS-37

符合標(biāo)準(zhǔn)：GB/T1409、GB/T5594

產(chǎn)品用途：固體、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試

適用材料：橡膠塑料薄膜、陶瓷玻璃、絕緣材料、高分子材料等

測(cè)試范圍：10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ

主要配置：主機(jī)Q表、夾具、電感組成

測(cè)試項(xiàng)目：介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值

使用人群：科研所、教學(xué)、質(zhì)量監(jiān)督局、軍工單位等

付款方式：全款發(fā)貨

產(chǎn)品品牌：縱橫金鼎

產(chǎn)品貨期：1-3個(gè)工作日

產(chǎn)品類(lèi)別：電性能檢測(cè)儀器

一、LJD型絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀概述：

LJD-C型介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀作為新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz.LJD-C介電常數(shù)測(cè)試儀采用了多項(xiàng)技術(shù)：

雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。

雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。

雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。

自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。

全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。

DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。

計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至 ，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

LJD-C介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具，測(cè)量值更為精確，測(cè)量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì)，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。

二、主要技術(shù)特性：

Q 值測(cè)量范圍:       2 ～ 1023,量程分檔：30100﹑300﹑1000，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔

固有誤差:≤ 5 ％ ± 滿(mǎn)度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）,≤6％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）

工作誤差:≤7％ ± 滿(mǎn)度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）,≤8％ ± 滿(mǎn)度值的2％（10MHz～160MHz）

電感測(cè)量范圍:       4.5nH ～ 140mH

電容直接測(cè)量范圍:   1 ～ 200pF

主電容調(diào)節(jié)范圍:     18 ～ 220pF

主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度:   100pF 以下 ± 1pF;100pF 以上 ± 1 ％

信號(hào)源頻率覆蓋范圍:  100kHz ～ 160MHz

頻率分段 （ 虛擬 ）: 100 ～ 999.999kHz, 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz,100 ～ 160MHz

頻率指示誤差        :3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字

三、夾具工作特性

1.平板電容器：

極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選

極片間距可調(diào)范圍：≥15mm

2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm

3. 夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）

4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm

四、配置：

主機(jī)一臺(tái)

電感九支

夾具一套

隨機(jī)文件一套

一、概述

LJD-B/LJD-C介電常數(shù)測(cè)試儀主要區(qū)別

    LJD-B/LJD-C介電常數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠(chǎng)等單位。

LJD-B/LJD-C介電常數(shù)測(cè)試儀是北京縱橫金鼎儀器設(shè)備有限公司新研制的產(chǎn)品，它以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號(hào)源，頻率達(dá)

70MHz/160MHz，信號(hào)源具有信號(hào)失真小、頻率精確、信號(hào)幅度穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)，更保證了測(cè)量精度的精確性。LJD-B主電容調(diào)節(jié)用傳感器感應(yīng)，電容讀數(shù)精確,且頻率值可設(shè)置。LJD-C主電容調(diào)節(jié)用步進(jìn)馬達(dá)控制，電容讀數(shù)更加精確,頻率值和電容值均可設(shè)置。LJD-B/LJD-C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數(shù)字顯示，在某一頻率下，只要能找到諧振點(diǎn)，都能直接讀出電感、電容值，大大擴(kuò)展了電感和電容的測(cè)量范圍，而不再是固定的幾個(gè)頻率下才能測(cè)出電感值的大小。LJD-B/LJD-C*的諧振點(diǎn)頻率自動(dòng)搜索或LJD-C*的電容自動(dòng)搜索功能，能幫助你在使用時(shí)快速地找到被測(cè)量器件的諧振點(diǎn)，自動(dòng)讀出Q值和其它參數(shù)。Q值量程可手動(dòng)或自動(dòng)轉(zhuǎn)換。

ASTM D150-11

實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和

電容率（介電常數(shù)）的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法¹

本標(biāo)準(zhǔn)是以固定代號(hào)D150發(fā)布的。其后的數(shù)字表示原文本正式通過(guò)的年號(hào)；在有修訂的情況下，為上一次的修訂年號(hào)；圓括號(hào)中數(shù)字為上一次重新確認(rèn)的年號(hào)。上標(biāo)符號(hào)（ε）表示對(duì)上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改。
　　　　本標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)批準(zhǔn)用于國(guó)防部所有機(jī)構(gòu)。
1.介電常數(shù)測(cè)試儀范圍
1.1 本試驗(yàn)方法包含當(dāng)所用標(biāo)準(zhǔn)為集成阻抗時(shí)，實(shí)心電絕緣材料樣本的相對(duì)電容率，耗散因子，損耗指數(shù)，功率因子，相位角和損耗角的測(cè)定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。

注1：在普遍的用法，“相對(duì)”一詞經(jīng)常是指下降值。

1.2 這些試驗(yàn)方法提供了各種電極，裝置和測(cè)量技術(shù)的通用信息。讀者如對(duì)某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話(huà)，必須查閱ASTM標(biāo)準(zhǔn)或直接適用于被測(cè)試材料的其它文件。^2,3

1.3　　本標(biāo)準(zhǔn)并沒(méi)有*列舉所有的安全聲明，如果有必要，根據(jù)實(shí)際使用情況進(jìn)行斟酌。使用本規(guī)范前，使用者有責(zé)任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范，并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險(xiǎn)說(shuō)明見(jiàn)7.2.6.1和10.2.1。

¹　本規(guī)范歸屬于電學(xué)和電子絕緣材料ASTM D09委員會(huì)管轄，并由電學(xué)試驗(yàn)D09.12附屬委員分會(huì)直接管理。

當(dāng)前版本核準(zhǔn)于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行。原版本在1922年批準(zhǔn)。前一較新版本于2004年批準(zhǔn)，即為　D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。

²　R. Bartnikas, 第2章, “交流電損耗和電容率測(cè)量,” 工程電介質(zhì), Vol. IIB, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能, 測(cè)量技術(shù), R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.

³　R. Bartnikas, 第1章, “固體電介質(zhì)損耗,” 工程電介質(zhì),Vol IIA, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學(xué)行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.

2.介電常數(shù)測(cè)試儀引用文件
2.1 ASTM標(biāo)準(zhǔn)：⁴

D374 　　　　固體電絕緣材料厚度的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

D618 　　　　試驗(yàn)用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程

D1082 　　　云母耗散因子和電容率（介電常數(shù)）試驗(yàn)方法

D1531 　　　用液體位移法測(cè)定相對(duì)電容率（介電常數(shù)）與耗散因子的試驗(yàn)方法

D1711 　　　電絕緣相關(guān)術(shù)語(yǔ)

D5032 　　　用飽和甘油溶液方式維持恒定相對(duì)濕度的規(guī)程

E104 　　　　用水溶液保持相對(duì)恒定濕度的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

E197 　　　　室溫之上和之下試驗(yàn)用罩殼和服役元件規(guī)程（1981年取消）⁵

3.介電常數(shù)測(cè)試儀術(shù)語(yǔ)

3.1 定義：

3.1.1 這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見(jiàn)術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。

3.2 本標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)定義：

3.2.1 電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí)，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。

3.2.1.1 討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位，電位采用伏特為單位時(shí)，電容單位為法拉，即：

C=q/V 　　　　　　　　　　（1）

3.2.2 耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對(duì)電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見(jiàn)圖1和圖2）。

D=K''/K' 　　　　(2)

⁴　相關(guān)ASTM標(biāo)準(zhǔn)，可瀏覽ASTM網(wǎng)站，.astm.org或與ASTM客服service@astm.org聯(lián)系。ASTM標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)卷次信息，可參見(jiàn)ASTM網(wǎng)站標(biāo)準(zhǔn)文件匯總。

⁵　該歷史標(biāo)準(zhǔn)的較后批準(zhǔn)版本參考網(wǎng)站astm.org。

3.2.2.1 討論——a：

D=tanδ=cotθ=X_p/R_p=G/ωC_p=1/ωC_pR_p　　　　　　　　(3)

式中：

G=等效交流電導(dǎo)，

X_p=并聯(lián)電抗，

R_p=等效交流并聯(lián)電阻，

C_p=并聯(lián)電容，

ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）

耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：

D=ωR_sC_s=1/ωR_pC_p　　　　　　　　(4)

串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿(mǎn)足以下要求：

C_p=C_s/(1 D²) 　　　　　　　　　　　　(5)

R_p/R_s=(1 D²)/D²=1 (1/D²)=1 Q²　　　　　　　　　　　　　(6)

4、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入AS2853A)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化，tanδ 測(cè)量結(jié)果的獲得無(wú)須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測(cè)量的同一性，是人工讀值和人工計(jì)算*的。

三、主要技術(shù)特性及配置

主要配置